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2 Mbit SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF020B
Data Sheet
Power-Up Specifications
All functionalities and DC specifications are specified for a V DD ramp rate of greater than 1V per 100
ms (0v - 3.0V in less than 300 ms). See Table 15 and Figure 27 for more information.
Table 15: Recommended System Power-up Timings
Symbol
T PU-READ1
Parameter
V DD Min to Read Operation
Minimum
100
Units
μs
T PU-WRITE
1
V DD Min to Write Operation
100
μs
T15.0 25054
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
V DD
V DD Max
Chip selection is not allowed.
Commands may not be accepted or properly
interpreted by the device.
V DD Min
T PU-READ
T PU-WRITE
Device fully accessible
Time
1417 PwrUp.0
Figure 27: Power-up Timing Diagram
?2012 Silicon Storage Technology, Inc.
29
DS25054A
01/12
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